Numer: 08/2017 Str. 106
Autorzy: Krystian Król , Mariusz Sochacki , Norbert Kwietniewski , Sylwia Gieraltowska , Łukasz Wachnicki :
Tytuł: Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Streszczenie: W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).
Słowa kluczowe: high-k, węglik krzemu, SiC, MOSFET, przyrządy mocy