No/VOL: 01a/2012 Page no. 12
Authors: Andrei Blinov , Dmitri Vinnikov , Volodymyr Ivakhno , Volodymyr Zamaruev :
Title: Łącznik hybrydowy typu IGBT-IGCT
Abstract: Artykuł prezentuje analizę hybrydowego łącznika wysokonapięciowego bazującego na równoległym połączeniu tranzystora IGBT i tranzystora IGCT. Proponowana konfiguracja pozwala na uzyskanie zalet dwóch półprzewodników, w rezultacie czego otrzymano znaczne zmniejszenie strat mocy. Takie energooszczędne łączniki, mogą być używane w systemach dużej mocy, gdzie zmniejszenie urządzeń systemu chłodzenia jest głównym problemem. Opisano i zasymulowano działanie łączników, oraz oszacowano rozpraszanie energii dla różnych warunków pracy.
Key words: Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, tyrystor z izolowaną bramką, Przemysłowe systemy energetyczne.