No/VOL: 04/2009 Page no. 205-208
Authors: Jacek Rąbkowski :
Title: Tranzystor JFET z węglika krzemu – szybki, wysokonapięciowy element półprzewodnikowy do zastosowań w energoelektronice
Abstract: W artykule przedstawiono podstawowe właściwości tranzystora JFET, w pełni sterowanego elementu wykonanego w technologii węglika krzemu (SiC), pod kątem zastosowania go w energoelektronice. Wykorzystując próbki elementów dostarczone przez producenta wyznaczono charakterystyki statyczne a także dynamiczne elementu oraz zbadano jego zachowanie się w stanie zwarcia. Opracowano sterownik bramkowy z zabezpieczeniem nadprądowym, który został wykorzystany do budowy przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie.
Key words: węglik krzemu, energoelektronika, JFET, sterowniki bramkowe