No/VOL: 07/08/2005 Page no. 12-23
Authors: Mieczysław Nowak :
Title: Stan i trendy rozwoju półprzewodnikowych łączników mocy i budowanych z ich zastosowaniem przekształtników energoelektronicznych
Abstract: We wstępie artykułu, w powiązaniu z rysem pięćdziesięcioletniego rozwoju nowoczesnej energoelektroniki, przedstawiono główne czynniki kształtujące obecne trendy rozwojowe w tej dziedzinie. Następnie podano krótki przegląd najważniejszych i podlegających pracom badawczo rozwojowym półprzewodnikowych przyrządów mocy uwzględniając podział wywodzący się z wartości napięcia roboczego. Zasadniczą część pracy poświęcono przeglądowi subiektywnie wybranych topologii, które zdaniem autora odpowiadają intensywnie rozwijającym się obszarom zastosowania energoelektroniki.
Key words: półprzewodnikowe przyrządy mocy, diody, tranzystory IGBT, MOS, tyrystory GTO, GCT, przekształtniki PWM, przekształtniki synchroniczne, wielopoziomowe przekształtniki napięcia, przekształtniki miękko przełączające