No/VOL: 10/2024 Page no. 289
Authors: Joanna Patrzyk , Janusz Zarębski , Damian Bisewski :
Title: Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT
Abstract: W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych oraz wybranych na ich podstawie wartości podstawowych parametrów roboczych tranzystora bipolarnego wykonanego w technologii węglika krzemu. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz przeprowadzono ich symulacje za pomocą programu SPICE. W symulacjach wykorzystano zarówno wartości parametrów wbudowanego w programie SPICE modelu tranzystora bipolarnego, zaczerpnięte ze strony producenta, jak i autorskie wartości parametrów otrzymane z wykorzystaniem procedury estymacji.
Key words: tranzystor bipolarny, węglik krzemu, SPICE, modelowanie.