No/VOL: 10/2024 Page no. 128
Authors: Fatima Rahou :
Title: Numeryczna symulacja pojedynczej studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN
Abstract: Źródła optyczne, takie jak diody elektroluminescencyjne (LED), są dobrym rozwiązaniem do tworzenia bardziej wytrzymałych opraw oświetleniowych o lepszej wydajności konwersji i bardziej przyjaznych dla środowiska. Celem tej pracy jest zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p-doped i ndoped AlGaN, przy użyciu oprogramowania SILVACO. Ta symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED, takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V), moc emitowanego światła, szybkość emisji spontanicznej, rekombinacja radiacyjna, rekombinacja Augera, rekombinacja Shockleya-Reada-Halla, wzmocnienie optyczne, strumień świetlny, gęstość widmowa mocy, ogólna wydajność. Te symulacje pozwoliły nam wyodrębnić charakterystyki elektryczne i optyczne diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową opartą na p-AlGaN/GaN/n-AlGaN i zbadać ich wydajność.
Key words: GaN, AlGaN, dioda emitująca światło UV, silvaco Tcad.