No/VOL: 05/2023 Page no. 190
Authors: Dawid Zięba , Jacek Rąbkowski :
Title: Kompleksowe podejście do badań parametrów dynamicznych szybko przełączających modułów tranzystorowych SiC MOSFET
Abstract: W artykule przedstawiono metodykę badań parametrów dynamicznych modułów tranzystorowych nowej generacji bazujących na tranzystorach MOSFET z węglika krzemu (SiC). Przeprowadzono badania eksperymentalne dla bardzo szybko przełączającego modułu tranzystorowego firmy Microsemi (1,2 kV, 495 A). Otrzymane wyniki porównano z wynikami uzyskanymi na podstawie powszechnie wykorzystywanego standardu wyznaczania parametrów dynamicznych tranzystorów MOSFET, który nie uwzględnia szeregu zjawisk znacząco wpływających na procesy łączeniowe szybko przełączających tranzystorów SiC MOSFET.
Key words: SiC MOSFET, szybko przełączające, moduły tranzystorowe, parametry dynamiczne.