No/VOL: 02/2020 Page no. 178
Authors: Joanna Szelągowska , Damian Bisewski , Janusz Zarębski :
Title: Pomiary przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT
Abstract: W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
Key words: przejściowa impedancja termiczna, rezystancja termiczna, tranzystor bipolarny, węglik krzemu.